日媒：中國芯片技術只落後臺積電三年

據《日經新聞》報道，日本半導體研究公司 TechanaLye 總裁 Yoji Shimizu 說，中國的芯片技術現在只比臺積電（TSM.US）落後三年。

該報告比較了華為 2024 年 4 月推出的 Pura 70 Pro 智能手機使用的中芯國際（00981.HK）生產的麒麟 9010 處理器與臺積電 2021 年推出的高端手機使用的麒麟 9000 處理器的電路圖。中芯國際的 7 納米芯片面積為 118.4 平方毫米，而臺積電的 5 納米芯片面積為 107.8 平方毫米，面積相差不大，處理性能基本相同。

一般來說，如果线路线寬變窄，半導體的處理性能就會提高，半導體面積則會變小。它們面積沒有太大差異，處理性能也基本相同。

總之，在良品率上存在差距，但從出貨的半導體芯片的性能來看，中芯國際的實力已追趕到只比臺積電落後3年。

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