中國光刻機迎重大突破 與國外差距還有多大？

9月初，中國工信部印發《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》(以下簡稱《指導目錄》)。在電子專用裝備目錄中，集成電路生產裝備包括氟化氬GKJ，光源193納米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

這意味着什么？

中國官宣的最先進光刻機技術達到，分辨率≤65nm、套刻≤8nm光刻機，理論上可以量產28nm級別的芯片，在中低端芯片實現完全自主可控。

實現28nm級別的芯片自主量產，意味着中國制造除手機外的大部分民用芯片已經足夠了。

這次突破讓中國實現了從0到1的跨越，光刻機作為半導體制造的核心設備，其技術水平直接影響到芯片的性能和成本。隨着相關技術上的不斷突破，我國將在芯片生產上實現更多自主權，同時也為其在多個工業領域的應用提供了堅實基礎。

與國外差距還有多大？

當然，這次官宣的新款國產氟化氬光刻機屬於中端技術水平，跟荷蘭阿斯麥的高端光刻機差距還很大，至少要差兩代產品，這個要承認的。

有些外行人一看到“套刻≤8nm”就認為這是8nm光刻機，也是令人啼笑皆非。

套刻(overlay )8納米，指的是在半導體制造過程中，使用光刻機進行多層圖案化時，各層之間對准精度的指標。

就是說在制造過程中，需要在硅片的不同層上形成圖案時，新一層的圖案相對於前一層圖案的位置偏差（即套刻誤差）不超過8納米。

分析指出，芯片制造中，套刻精度與量產工藝之間確實存在一定的關系。

一般認為，套刻精度與量產工藝節點之間大約有1:3的關系。即如果套刻精度達到了8納米，則理論上該光刻機可以支持制造24納米左右的芯片，意味着28納米芯片實現了自由。

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